新资讯

  • 铜连接 — 混合键合也许能拯救摩尔定律

    混合键合3D芯片技术将拯救摩尔定律。为了继续缩小电路尺寸，芯片制造商正在争夺每一纳米的空间。但在未来5年里，一项涉及几百乃至几千纳米的更大尺度的技术可能同样重要。这项技术被称为“混合键合”，可以将两块或多块芯片叠放在同一个封装中。这使芯片制造商能够增加处理器和内存中的晶体管数量，虽然晶体管的缩小速度已普遍放缓，但这曾推动摩尔定律发展。2024年5月，在美国丹佛举行的IEEE电子器件与技术大会（ECTC）上，来自世界各地的研究团队围绕这一技术公布了多项研究改进，其中一些成果可能会产生创纪录的3D堆叠芯片连接密度：每平方毫米硅片约700万个连接。

    넶23 2025-01-27

  • 先进封装，新变动？

    人工智能（AI）浪潮转动全球半导体行业新一轮周期的齿轮，AI加速芯片的关键技术先进封装被推至新的风口。台积电、日月光、Amkor、英特尔、三星等大厂纷纷踊跃下注、调整产能布局，大小企业收购，各国补贴奖励到位...先进封装市场门庭若市，而CoWoS产能仍“吃紧”的消息一释出，再度吸引业界目光。

    넶258 2024-09-24

  • 详解半导体先进封装行业，现状及发展趋势！

    在以人工智能、高性能计算为代表的新需求驱动下，先进封装应运而生，发展趋势是小型化、高集成度，历经直插型封装、表面贴装、面积阵列封装、2.5D/3D封装和异构集成四个发展阶段。
    典型封装技术包括：1）倒片封装（Flip-Chip）：芯片倒置，舍弃金属引线，利用凸块连接；2）扇入型/扇出型封装（Fan-In/Fan-Out）：在晶圆上进行整体封装，成本更低，关键工艺为重新布线(RDL)；

    넶304 2024-07-10

  • 混合键合到底是什么？

    混合键合用于芯片的垂直（或 3D）堆叠。混合键合的显著特点是它是无凸块的。它从基于焊料的凸块技术转向直接铜对铜连接。这意味着顶部die和底部die彼此齐平。两个芯片都没有凸块，而是只有可缩放至超细间距的铜焊盘。没有焊料，因此避免了与焊料相关的问题。

    넶204 2024-04-03

  • 晶圆到晶圆混合键合：将互连间距突破400纳米

    3D集成是实现多芯片异构集成解决方案的关键技术，是业界对系统级更高功耗、性能、面积和成本收益需求的回应。3D堆叠正在电子系统层次结构的不同级别（从封装级到晶体管级）引入。因此，多年来已经开发出多种3D互连技术，涵盖各种互连间距（从毫米到小于100纳米）并满足不同的应用需求。这种“3D互连前景”如下图所示......

    넶172 2024-04-03

热点新闻排行榜

微信看新闻

扫描二维码,添加微信好友，我们将每日为您提供新鲜行业资讯，随时随地阅读。