逻辑工艺平台

物元研发团队具备丰富的Chiplet先进封装经验，通过整合芯片对晶圆、晶圆对晶圆、异质键合以及硅介质系统集成等先进封装技术，可对外提供定制化的Wafer on Wafer 、Silicon Interpose以及Hybrid Bonding等先进封装代工服务。

存储工艺平台

采用混合键合技术，提供存储产品

未来进一步开发base die+SRAM+DRAM+RRAM  定制化存储芯片和3D DRAM

定制化工艺平台

在相同的耐压下，DTC硅基电容可显著提升容值密度，更适合超小、超薄和高可靠性的产品。深沟槽刻蚀与介质填充是硅基电容制备的关键工艺，物元已经完成容值密度达1μF/mm2的电容开发，可提供嵌入式和单独的硅基电容产品。