3D集成是实现多芯片异构集成解决方案的关键技术，是业界对系统级更高功耗、性能、面积和成本收益需求的回应。3D堆叠正在电子系统层次结构的不同级别（从封装级到晶体管级）引入。因此，多年来已经开发出多种3D互连技术，涵盖各种互连间距（从毫米到小于100纳米）并满足不同的应用需求。这种“3D互连前景”如下图所示。该前景是高度动态的，每种技术都会及时扩展到更小的互连间距。在该技术“谱系”接近尾声时，我们发现了晶圆到晶圆混合键合，有望实现高互连密度和小互连寄生效应。这种“混合”（铜到铜和电介质到电介质）键合技术使用铜镶嵌技术来定义键合表面，可能允许非常精细的间距缩放。

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