三星HBM路线图曝光：采用HCB技术制造出16层HBM

　　三星电子正在加速技术开发，以夺回高带宽内存（HBM）霸主地位。三星电子最近使用“混合键合”（HCB）技术制造了16层HBM样品，并宣布确认运行正常。混合键合是一种新技术，预计从第六代 HBM 开始使用。

三星最近采用混合键合技术制造了 16 层 HBM 样品（右）

　　三星电子常务董事金大宇4月3日在韩国光州国家亚洲文化中心举行的“韩国微电子和封装学会2024年定期学术会议”上表示，“我们制作了16层（HBM）产品（一周前应用了混合键合），开始批量生产可能还需要时间，但我们已经确认它工作正常，样品虽然是在 HBM3，但我们计划准备在未来改进的 HBM4 上量产。”

三星电子制造的 16 层 HBM 样品的所有层都采用了混合键合技术。最初，由于对齐等问题，预计只会应用于一层或两层，但混合粘合技术被应用于所有层。

三星电子的 HBM 路线图

　　三星电子还宣布，正在考虑将混合键合和“热压缩（TC）-非导电粘合膜（NCF）”方法作为存储器堆叠技术，目标是“2025年HBM4出样，2026年量产”。三星电子在其第五代产品 HBM3E 中一直使用 TC-NCF 方法。

韩国业界考虑将混合键合应用于 HBM 的原因是考虑到外形尺寸和散热等问题。目前，使用电容填充凸块来连接 TSV，但其概念是通过应用混合键合技术来进一步增加级数，当未来芯片厚度加工受到限制时，就不再需要电容填充凸块。还有一个优点是能够通过应用混合键合技术使核心芯片 DRAM 更厚。

不过，随着国际半导体标准化组织（JEDEC）去年3月就775微米（μm）的HBM4产品标准达成一致，也有预测称混合键合技术的应用可能会被推迟。

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