HBM是什么,美国为什么要限制中国获取HBM?

 

昨日,据知情人士爆料称,美国拜登政府希望限制高带宽内存(HBM)技术的对华出口,HBM是什么,为什么美国要限制中国获取HBM?

一、HBM是什么?

 

 

HBM,High Bandwidth Memory,即高带宽存储器,是一种新型的CPU/GPU内存芯片。

 

二、内存为什么重要?

 

随着大数据时代的到来,传统的内存技术已经难以满足日益增长的计算需求。在高性能计算(HPC)、人工智能(AI)、数据中心、以及高端游戏等领域,算力要求的几何级提升,对内存的带宽和容量要求越来越高。

在这样的背景下,HBM技术应运而生,它代表了内存技术的一次革命性进步。

 

三、内存技术的演进

 

自20世纪60年代动态随机存取存储器(DRAM)发明以来,已经经历了显著的演进:

SIMM内存:最初的内存形式,有30个引脚,数据总线为8位。

EDO DRAM:90年代流行,容量和速度有所提升,数据总线为32位,容量从4MB到16MB不等。

SDR SDRAM:随着CPU升级,内存技术迎来大革命,内存频率与CPU外频同步,大幅提升了数据传输效率。

DDR SDRAM:即双倍速率SDRAM,提升了传输速率,是SDR SDRAM的升级版。历经DDR2、DDR3、DDR4,目前DDR5 SDRAM的起始频率高达4800MHz,工作电压进一步降低至1.1V,带宽大幅提升。

LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM):专为低功耗移动设备设计,已经发展出多个版本,包括LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4X和LPDDR5。

GDDR(Graphics Double Data Rate)专为图形处理设计的显存类型,包括GDDR2、GDDR3、GDDR4和GDDR5等,具有更高的频率和带宽。

HBM通过硅通孔(TSV)技术垂直连接多个DRAM芯片,大幅提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。

 

四、HBM的技术原理

 

HBM技术的核心在于其独特的3D堆叠架构TSV(Through-Silicon-Via)技术:

 

HBM 内存结构与封装技术图解


       3D堆叠架构:HBM通过垂直堆叠多个DRAM芯片层,极大地增加了单位面积内的内存容量。每一层DRAM都通过微凸点(Micro Bumps)与逻辑芯片(如GPU或CPU)相连。

TSV技术:TSV技术是实现3D堆叠的关键,它通过在硅芯片中垂直贯穿的导电通路连接不同层次的电路,极大地减少了芯片间的连接长度和电阻。

高带宽串行接口:HBM使用串行接口与处理器通信,与传统的并行接口相比,它能够在更小的引脚数量下提供更高的数据传输速率。

 

五、HBM的优势

 

HBM与GDDR 5技术对比

 

高带宽:由于采用了串行接口和优化的信号传输技术,HBM能够提供远超传统DRAM的带宽,满足高性能计算的需求。

高容量:通过3D堆叠技术,HBM在相同的芯片面积内可以集成更多的DRAM层,从而提供更大的内存容量。

低功耗:HBM的垂直堆叠结构减少了数据传输的距离,从而降低了功耗。同时,TSV技术的应用也有助于减少功耗。

小尺寸:HBM的3D堆叠设计使得内存模块的尺寸大大减小,有助于实现更紧凑的系统设计。

 

六、HBM的发展历程

 

 

自2014年首款HBM产品发布至今,HBM技术已经发展至第五代,分别是:HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代),HBM芯片容量从1GB升级至24GB,带宽从128GB/s提升至1.2TB/s,数据传输速率从1Gbps提高至9.2Gbps。

 

七、美国为什么要限制中国获取HBM

 

目前,AI和深度学习算法需要处理庞大的数据集,HBM的高带宽和大容量特性使其成为最理想的内存解决方案,限制中国获取HBM,是为了限制中国发展大规模高性能计算的硬件能力,最终是为了限制中国AI产业的发展。

 

素材来源:微信公众号

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